Optical properties of stacked InGaAs sidewall quantum wires in InGaAsP∕InP
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Optical properties of excitons in GaAs quantum wires
We report the result of a detailed spectroscopic investigation of the optical properties of excitons in rectangular (etched) and V-shaped (grown on non-planar substrates) GaAs quantum wires. High index excitonic transitions and strong polarization anisotropy of the optical spectra have been observed. The experimentally observed trasitions are in agreement with the theoretical evaluation of quan...
متن کاملGrowth and optical properties of self-assembled InGaAs Quantum Posts
We demonstrate a method to grow height controlled, dislocation-free InGaAs quantum posts (QPs) on GaAs by molecular beam epitaxy (MBE) which is confirmed by structural investigations. The optical properties are compared to realistic 8-band k · p calculations of the electronic structure which fully account for strain and the structural properties of the QP. Using QPs embedded in n-i-p junctions ...
متن کاملcontrol of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولMobility asymmetry in InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs quantum wires.
Strong asymmetry of electron mobility in InGaAs/InAlAs heterostructures (lattice matched to InP) with the presence of InAs quantum wires was observed. Self-assembled InAs quantum wires, embedded in an InGaAs matrix close to the hetero-interface, has a strong effect in electron conduction in the interface channel. The low temperature mobility for electrons moving parallel to the quantum wires is...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 2006
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.2199088